03平衡晶体中载流子的产生与复合处于动态平衡之中。
04热载流子通过发射和吸收声子，与晶格进行能量交换。
05为减小基区电阻和防止低温载流子冻析，可增加基区浓度。
06本文回顾了超声波与半导体中的载流子之间的声电相互作用。
07此外，表面粗糙散射和高场散射主要影响高场下载流子迁移率。
08提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布。
09进一步的分析认为，P3峰很可能联系于欠掺杂区载流子的异常行为。
10测试晶体的吸收光谱、指数增益系数、衍射效率和有效载流子浓度。
11其中，第一个晶粒间界能够最有效地减少注入饱和少数载流子电流。
12分析有源区内载流子和VCL光子密度的变化，揭示了增益钳制的物理机理。
13另外试验结果也给研究有机发光二极管中载流子迁移率提供了一些线索。
14在LED电极欧姆接触中，载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制。
15以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础，得出漂移区电阻的解析模型。
16在室温条件下测量电流和磁场的大小对载流子浓度和迁移率测量结果的影响。
17实验认为，器件性能退化是由中子辐照砷化镓材料的载流子去除效应引起的。
18红外等离子反射光谱与晶体材料的载流子浓度、迁移率和有效质量等参数有关。
19这种材料中的载流子，许多特性都差不多可用真空中的自由电子的特性来表征。
20与常温情况相比( )，低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。
21利用少数载流子的稳态连续性方程和半导体材料对光的吸收，求出光电流的表达式。
22研究电致发光有机薄膜中载流子的输运过程，迁移率是描述输运过程的关键物理量。
23当施加反向偏置电压时，形成的耗尽层厚度变大，从而使热载流子的产生减到最小。
24研究了不同辐照能量密度和不同激光波长对载流子密度和温度超快变化过程的影响规律。
25此外,文中还介绍了交流应力下的热载流子退化现象,以及在一些特殊器件结构中的退化现象.
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