02采用单晶硅或多晶硅太阳能电池，功率0.20W。
04最后，讨论了原生直拉单晶硅中铜沉淀规律的机理。
05本文的工作是利用MEMS技术在单晶硅上制作集成PCR芯片。
06使用旋涂方法在K9玻璃和抛光的单晶硅基片上制备薄膜；
07单晶硅、锗的超精密车削表面存在明暗相间的分布特征。
08游离磨料线锯切割技术是目前单晶硅切片的主要加工方法。
09多晶硅电池含有细小颗粒的单晶硅，它含有很多细小光亮的成分。
10通过以上研究可以得出结论，掺氮直拉单晶硅可以在太阳电池中应用。
11研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响。
12单晶硅退火处理时，往往造成外来杂质的沾污，降低少子寿命，造成质量下降。
13用压痕功法对单晶硅的压痕硬度进行了实验研究，并与其它方法进行了比较分析。
14本文研究用脉冲激光烧蚀石墨靶方法在单晶硅、K9玻璃等衬底上生长超硬非晶碳膜。
15研究了利用低能离子束技术，在单晶硅片等多种基体表面形成类金刚石薄膜（DLC膜）。
16采用截面显微观察法和择优蚀刻法对电火花线切割单晶硅产生的亚表面损伤层进行检测。
17本文采用直流反应磁控溅射工艺，以金属钨为靶材，在玻璃和单晶硅片上沉积了WO3薄膜。
18简要介绍硬质合金、压电陶瓷和单晶硅的加工特点及利用超声微细加工这三种材料的优势。
19本实验通过系统地改变沉积参数，在经过清洗好的单晶硅片上沉积了一系列的氮化硅薄膜。
20在此基础上，依照材料的静电烧蚀机制计算单晶硅的烧蚀阈值，结果和实验数据符合的较好。
21多晶硅作为信息产业最基础的原材料，随着单晶硅市场急剧扩大而引起了严重的资源匮乏问题。
22“一方面，最有效率的太阳能电池是用单晶硅制成的，但这种材料很贵，”阿尔伯托·威森廷说。
23单点切削试验是以不同的法向载荷及切削速度在三种材料（合金铝、单晶锗及单晶硅）上分别进行。
24集成电路特征线宽的不断减小对直拉（CZ）单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。
25单晶硅和多晶硅体太阳能电池成本居高不下，非晶硅和非晶硅薄膜太阳能电池又有光致衰退效应的困扰。
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